2009年重庆高考理综物理第25题解析-王尚

2011年11月08日，分类：资料；标签归档: 高中物理学习, 高考物理试题

王尚物理资料整理-2009年重庆高考理综物理第25题解析

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本题的物理考点归纳：离子源；匀强磁场；匀速直线运动；偏转电场；

本题的解析与答案：见附件下载；

部分原题如下，仅供参考。具体答案和图像请从附件下载。

25.（19分）如题25图，离子源A产生的初速为零、带电量均为e、质量不同的正离子被电压为U0的加速电场加速后匀速通过准直管，垂直射入匀强偏转电场，偏转后通过极板HM上的小孔S离开电场，经过一段匀速直线运动，垂直于边界MN进入磁感应强度为B的匀强磁场。已知HO＝d，HS＝2d，＝90°。（忽略粒子所受重力）
（1）求偏转电场场强E0的大小以及HM与MN的夹角φ；
（2）求质量为m的离子在磁场中做圆周运动的半径；
（3）若质量为4m的离子垂直打在NQ的中点S1处，质量为16m的离子打在S2处。求S1和S2之间的距离以及能打在NQ上的正离子的质量范围。

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